پروپوزال مهندسی برق: طراحی و بهینه سازی ترانزیستور SRAM با الگوریتم فراابتکاری به منظور بهبود عملکرد و کاهش تأخیر
قیمت اصلی 139,900 تومان بود.89,900 تومانقیمت فعلی 89,900 تومان است.
| عنوان فارسی پروپوزال | طراحی و بهینه سازی ترانزیستور SRAM با الگوریتم فراابتکاری به منظور بهبود عملکرد و کاهش تأخیر |
|---|---|
| عنوان انگلیسی پروپوزال | Design and optimization of SRAM transistor with metaheuristic algorithm to improve performance and reduce latency |
| مناسب برای | پروپوزال درس روش تحقیق ، پروپوزال پایان نامه ، طرح تحقیق |
| رشته | مهندسی برق- کامپیوتر |
| سال نگارش | 2025-1404 |
| قالب فایل | Word |
فهرست مطالب پروپوزال
-
- بیان مساله اساسی تحقیق
- اهمیت و ضرورت انجام تحقیق
- مرور ادبیات و پیشینه تحقیق
- جنبه جدید بودن و نوآوری در تحقیق
- اهداف مشخص تحقیق
- هدف کاربردی و نام بهره وران
- سوالات تحقیق
- فرضیه های تحقیق
- تعریف واژه ها و اصطلاحات فنی و تخصصی
- روش شناسی تحقیق
- شرح کامل روش (میدانی، کتابخانه ای) و ابزار گردآوری داده ها
- منابع و مراجع
ویژگی های پروپوزال
- این نمونه پروپوزال ، مناسب برای نمونه پروپوزال درس روش تحقیق ، پروپوزال پایان نامه ،پروپوزال طرح پژوهشی و پروپوزال کاری می باشد .
- با دانلود پروپوزال آماده به راحتی می توانید پروپوزال کارشناسی، نمونه پروپوزال کارشناسی ارشد ، پروپوزال روش تحقیق و پروپوزال دکتری خود را بنویسید؛ و یا خود پروپوزال را که در ورد (word) نوشته شده است، متناسب با سلیقه خود ویرایش کنید؛
- نمونه پروپوزال ارائه شده، قرار داده شده بر اساس استاندارد پروپوزال نویسی وزارت علوم و تحقیقات می باشد و شامل بخش های اصلی یک پروپوزال آماده کامل از جمله: بیان مسئله اصلی تحقیق.، اهمیت و ضرورت موضوع و دلیل پرداختن به موضوع، اهداف اصلی تحقیق، فرضیات اصلی تحقیق، سوالات تحقیق، روش انجام تحقیق و مدل مفهومی تحقیق می باشد.
- برای مشاهده و دانلود پروپوزال های بیشتر، می توانید به لینک نمونه پروپوزال مهندسی برق و مهندسی کامپیوتر مراجعه نمایید.
بخشی از بیان مساله
دستگاه‌های ديجیتال نوين به توانايی ذخیرهسازی و بازيابی سريع اطلاعات حجیم نیاز دارند و ازاین‌رو، روزبه‌روز حافظه درصد بزرگ‌تری از کل مساحت تراشه‌های ديجیتال را به خود اختصاص می‌دهد. هم‌اکنون در بسیاري از میکروپروسسورها و پردازشگرهاي تصوير، حافظه بیش از نیمی از سطح تراشه را به خود اختصاص می‌دهد. (Zhang, Y و همکاران، 2024)
يک دلیل مهم براي استفاده از بلوکهاي بزرگ حافظه، فراهم ساختن آهنگ انتقال دادهي بالا، بین مدار منطقی و حافظه است. به‌عنوان‌مثال در يک پردازشگر تصوير ممکن است لازم باشد تا در چند نانوثانیه داده مبادله شود، چیزي که در صورت قرار داشتن مدار منطقی و حافظه بر روي تراشههاي مجزا تقريباً ناممکن است. نیاز به وجود حافظههایی تا حد امکان کوچک، با توان مصرفی کم و ارزان، ازجمله مسائل مطرح در سیستم طراحی دستگاه‌های دیجیتال است (Mantrashetti, S. M و همکاران، 2025)
حافظه دسترسی تصادفی (RAM) یکی از ابزارهای ذخیرهسازی اطلاعات در کامپیوتر است که مسئولیت ذخیره سازی دستورالعمل های مکرر را به‌منظور افزایش سرعت نهایی سیستم بر عهده دارد. حافظه RAM می‌تواند به دودسته حافظه‌های پویا با دسترسی تصادفی DRAM و حافظه‌های استاتیک با دسترسی تصادفی SRAM. تقسیم کرد. به لحاظ مدارهای الکترونیک، حافظه SRAM از فیلیپ فلاپ تشکیل‌شده است. هر فلیپفلاپ خود از چندين ترانزيستور تشکیل‌شده است و ازاین‌رو، حافظه‌های SRAM پیچیدگی کمتری از حافظه‌های DRAM دارد. اما مهمترين ويژگی SRAM در مقايسه با DRAM سرعت بالاتر (حدود 4برابر) آن است، زيرا DRAM در مدت نوسازي قادر به نوشتن يا خواندن اطلاعات نیست. بنابراين از SRAMها معمولاً در Cacheپردازندهها استفاده می‌شود. (Zhang, X و همکاران، 2025)
برخی از منابع:
Kim, S., Lee, J., Kim, D., Park, J., Lee, S., & Jeong, H. (2025). Simultaneous Optimization of Various-Sized SRAM Instances Through Machine Learning-Driven Transistor Sizing and Leafcell Circuit Pool Construction. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers
Mantrashetti, S. M., Chavan, A. P., Pawar, P., Aradhya, H. R., & Powar, O. S. (2025). A Novel Algorithm for Aspect Ratio Estimation in SRAM Design to Achieve High SNM, High Speed and Low Leakage Power. IEEE Access
Zhang, X., Li, Q., Cao, L., Zhang, Q., Jiang, R., Wang, P., … & Yin, H. (2025). Performance Optimization of Fabricated Nanosheet GAA CMOS Transistors and 6T-SRAM Cells via Source/Drain Doping Engineering. IEEE Journal of the Electron Devices Society
Raj, B. (2025). Energy-efficient SRAM cell design. In Sustainable Energy and Fuels (pp. 214-240). CRC Press
Zhang, Y., Chen, Z., Chen, C., & Jiang, J. (2024, October). Advanced Design and Optimization of CNTFET-Based SRAM Circuits Using a 180nm Process Design Ki. In 2024 9th International Conference on Integrated Circuits and Microsystems (ICICM) (pp. 697-701). IEEE
Shirinkar, H., & Karimiyan Alidash, H. (2024). An Optimization Algorithm for Dimensional Design of Graphene Nano-ribbon Field Effect Transistors for All-Graphene SRAM Chip. Soft Computing Journal, (Articles in Press)
Vajeer, S., Vallab, L., Yada, P., & Vallem, S. (2024, April). Design of SRAM Cell Using FinFET for Low Power Applications. In 2024 7th International Conference on Devices, Circuits and Systems (ICDCS) (pp. 243-247). IEEE
سایر لینکهای مرتبط
- دانلود پروپوزال آماده و رایگان (تمامی رشته ها) »
- دانلود نمونه پروپوزال مدیریت »
- دانلود نمونه پروپوزال آماده مهندسی کامپیوتر »
- نمونه پروپوزال آماده مهندسی برق »
- نمونه پروپوزال آماده پزشکی و مهندسی پزشکی »
- دانلود پروپوزال مهندسی مکانیک »
- دانلود نمونه پروپوزال مهندسی صنایع »
- نمونه پروپوزال هنر و ارتباطات تصویری »
- دانلود پروپوزال روانشناسی »
- دانلود پروپوزال حقوق »
- دانلود پروپوزال حسابداری و حسابرسی »
- دانلود پروپوزال اقتصاد »
- دانلود پروپوزال علوم انسانی »
- دانلود رایگان کتاب آموزش پروپوزال
.فقط مشتریانی که این محصول را خریداری کرده اند و وارد سیستم شده اند میتوانند برای این محصول دیدگاه(نظر) ارسال کنند.
قیمت اصلی 139,900 تومان بود.89,900 تومانقیمت فعلی 89,900 تومان است.
محصولات مرتبط
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.