بهینه سازی ترانزیستور های با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN در حالت e-mode به منظور کاهش اتلاف سوئیچینگ و جلوگیری از فروپاشی جریان
در تکنولوژی میکروالکترونیک ساخت مدارهای مجتمع نیمه هادی با سرعت بیشتر، اندازه و توان مصرفی کمتر مد نظر می باشد. همچنین دستگاه های روشن کردن برق نیازمند به افت رسانایی اندک در حالت روشن یا فعال(ON)، سرعت بالای سوئیچینگ، مقاومت حرارتی بالا و مقامت ظاهری ِ درونی بالا می باشند.
پروپوزال، بهینه سازی، ترانزیستور با تحرک بالای الکترونی، AlGaN/GaN
با رشد سریع مخابرات بیسیم نیاز به ادواتی که بتوانند در فرکانس های بالا توان خروجی بالایی نیـز داشـته باشند، بیش از پیش احساس می شود. تکنولوژی های پیشین از سیلیکن در ساخت مدارات و ادوات نیمه هادی استفاده می کردند. ماسـفت هـای سـیلیکنی، بدلیل اینکه سیلیکن به جهت خواص ذاتی آن، ماده مناسبی برای کار در فرکانس بالا نیست. نمی تواننـد در فرکـانس های بالا کارایی لازم را داشته باشند و لازم است تا از مواد دارای خواص بهتر و ساختارهای مناسبتری استفاده گـردد تا نیازهای تکنولوژی آینده برآورده شود.
فهرست پروپوزال آماده بهینه سازی ترانزیستور های با تحرک بالای الکترونی
- شرح و بیان موضوع پیشنهادی
- مروری بر تحقیقات گذشته
- فرضیه ها یا سئوالهای تحقیق:
- اهداف تحقیق
- کاربرد نتایج تحقیق:
- منابع و مراجع طرح سئوال
نقد و بررسی‌ها
هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.