پروپوزال, گرایش الکترونیک, گرایش برق قدرت, گرایش کنترل, مهندسی برق
پروپوزال بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN
پروپوزال بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN
فهرست پروپوزال آماده بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی
- شرح و بیان موضوع پیشنهادی
- مروری بر تحقیقات گذشته
- فرضیه ها یا سئوالهای تحقیق:
- اهداف تحقیق
- کاربرد نتایج تحقیق:
- منابع و مراجع طرح سئوال
جهت دانلود پروپوزال آماده کلیک کنید
پروپوزال، بهینه سازی، ترانزیستوربا تحرک بالای الکترونی، AlGaN/GaN
در تکنولوژی میکروالکترونیک ساخت مدارهای مجتمع نیمه هادی با سرعت بیشتر، اندازه و توان مصرفی کمتر مد نظر می باشد. همچنین دستگاه های روشن کردن برق نیازمند به افت رسانایی اندک در حالت روشن یا فعال(ON)، سرعت بالای سوئیچینگ، مقاومت حرارتی بالا و مقامت ظاهری ِ درونی بالا می باشند.
با رشد سریع مخابرات بیسیم نیاز به ادواتی که بتوانند در فرکانس های بالا توان خروجی بالایی نیـز داشـته باشند، بیش از پیش احساس می شود.تکنولوژی های پیشین از سیلیکن در ساخت مدارات و ادوات نیمه هادی استفاده می کردند. ماسـفت هـای سـیلیکنی، بدلیل اینکه سیلیکن به جهت خواص ذاتی آن، ماده مناسبی برای کار در فرکانس بالا نیست.نمی تواننـد در فرکـانس های بالا کارایی لازم را داشته باشند و لازم است تا از مواد دارای خواص بهتر و ساختارهای مناسبتری استفاده گـردد تا نیازهای تکنولوژی آینده برآورده شود.
از جمله محدودیت های سیلیکن می توان به سرعت اشباع پایین الکتـرون و شکاف انرژی کم آن اشاره کرد. از طرف دیگر ساختار ماسفت خود یکی از عامل های محدود کننده عملکرد فرکـانس بالای این ادوات است. زیرا ساختار ماسفت بگونه ای است که یون های ناخالصی درون کانال حضور دارنـد و پدیـده پراکندگی از اتمهای ناخالصی غالب خواهد بود. پس لازم است که هم در مواد و هم در ساختار ماسفت هـا تغییراتـی بوجود آید.
