مهندسی برق, آموزشی, گرایش الکترونیک, گرایش برق قدرت, گرایش کنترل
نانوترانزیستور و کاربرد آن در مدارهای دیجیتال
مه
با رسیدن تکنولوژی سیلیکونی به مرزهای محدودیت ساخت از جمله مشکلات جریان نشتی و تغییرات شـدید پارامترهای ترانزیستورهای مشابه در ابعاد نانومتری و نیاز به جایگزینی مواد جدید، چند ساختار جدیـد بـرای یافتن بهترین جایگزین ترانزیستورهایFET مورد بررسی قرار گرفته است. تحقیقات اخیر در نانوالکترونیـک پتانسیل بالای ترانزیستورهای نانوتیوب کربنی جهت جایگزینی بجای ترانزیـستورهایMOSFET کنـونی رانشان داده اند.
خصوصیات ویژه نانوتیوبهای کربنی در حوزه الکترونیک باعث گسترش کاربرد آنها در زمینه های متفاوت شـده است. در این تحقیق به بررسی کاربرد نانوتیوبهای کربنی در ساخت ترانزیستورهایFET خواهیم پرداخـت. در ابتدا ساختارهای متفاوت نانوتیوبها ، نحوه تشکیل و خصوصیات هر یک از آنها مورد مطالعه قرار گرفته است.
جهت دانلود فایل کلیک کنید
ما بر روی ترانزیستورهایFET ساخته شده با استفاده از نانوتیوبهای کربنـی (CNFET)1 و مدلـسازی آنهـا متمرکز خواهیم شد . این ترانزیستورها بدلیل امکان ساخت در محدوده ابعادی نانو ، جریان دهی بالستیک( یا شبه بالستیک) دارند. بنابراین جهت مدلسازی از تئوری ترانزیستورهای بالستیک استفاده شده است. در این پروژه هدف از مدلسازی این نوع ترانزیستور ها کاربرد آن در شبیه سازی مدارهای دیجیتال بوده و با توجه بـه کاربرد در نظر گرفته شده ، ساده سازیها یی انجام شده تا در نهایت مدل ساده ای ارائه گـردد کـه توانـایی بـه کارگیری توسط نرم افزار شبیه سازی مداری (HSPICE) را داشته باشد. مدل ارائه شده با استفاده از این نرمافزار (بصورت یک زیر- مدار ) و به منظور شبیه سازی مدارهای دیجیتال و گیتهای منطقی بکـار گرفتـه شـده است.
فهرست مطالب نانوترانزیستور و کاربرد آن در مدارهای دیجیتال
- فصل اول : کلیات
- فصل دوم : نانوتیوبهای کربنی و CNFET
- ساختار نانو تیوب های کربنی
- خواص الکترونیکی نانوتیوب های کربنی
- روشهای رشد نانو تیوب های کربنی
- ترانزیستورهای اثر میدانی با نانوتیوب های کربنی ( CNFET )
- عرض ترانزیستور نانوتیوب کربنی
- ترانزیستورهای کانال n و p
- مقایسه ترانزیستور CNFET با MOSFET
- قابلیتهای ترانزیستور CNFET در حافظه های ROM
- فصل سوم :مدلسازی CNFET
- ترانزیستورهای CNFET
- تئوری ترانزیستورهای CNFET بالستیک
- مدل عددی ترانزیستور CNFET بالستیک
- مدل CNFET بالستیک سازگار با نرم افزارهای شبیه ساز
- مدل مداری سازگار با HSPICE
- جمع بندی
- فصل چهارم : نتایج شبیه سازی
- تاثیر تغییرات قطر بر خواص ترانزیستور
- بکار گیری مدل ترانزیستور CNFET
- مدار معکوس کننده با استفاده از ترانزیستور CNFET
- معکوس کننده CNFET با منطق مکمل
- گیت های منطقی با استفاده از ترانزیستور CNFET
- فصل پنجم : نتیجه گیری و پیشنهادات