بلاگ

ترانزیستور

پروپوزال بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN

پروپوزال بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaNReviewed by پروپوزال بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN on Apr 24Rating: 5.0پروپوزال بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN دپارتمان پژوهشی سفیر با مشاوره دادن  در انجام پروپوزال کارشناسی ارشد در زمینه ی بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN ارائه کرد. 

پروپوزال بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN

دپارتمان پژوهشی سفیر با مشاوره دادن  در انجام پروپوزال کارشناسی ارشد در زمینه ی بهینه سازی ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN در حالت E-mode ارائه کرد.

پروپوزال، بهینه سازی، ترانزیستوربا تحرک بالای الکترونی، AlGaN/GaN

در تکنولوژی میکروالکترونیک ساخت مدارهای مجتمع نیمه هادی با سرعت بیشتر، اندازه و توان مصرفی کمتر مد نظر می باشد.

همچنین دستگاه های روشن کردن برق نیازمند به  افت رسانایی اندک در حالت روشن  یا فعال(ON)، سرعت بالای سوئیچینگ،  مقاومت حرارتی بالا و  مقامت ظاهری ِ درونی بالا می باشند.

با رشد سریع مخابرات بیسیم نیاز به ادواتی که بتوانند در فرکانس های بالا توان خروجی بالایی نیـز داشـته باشند، بیش از پیش احساس می شود.

تکنولوژی های پیشین از سیلیکن در ساخت مدارات و ادوات نیمه هادی استفاده می کردند.

ماسـفت هـای سـیلیکنی، بدلیل اینکه سیلیکن به جهت خواص ذاتی آن، ماده مناسبی برای کار در فرکانس بالا نیست.

نمی تواننـد در فرکـانس های بالا کارایی لازم را داشته باشند و لازم است تا از مواد دارای خواص بهتر و ساختارهای مناسبتری استفاده گـردد تا نیازهای تکنولوژی آینده برآورده شود.

از جمله محدودیت های سیلیکن می توان به سرعت اشباع پایین الکتـرون و شکاف انرژی کم آن اشاره کرد.

از طرف دیگر ساختار ماسفت خود یکی از عامل های محدود کننده عملکرد فرکـانس بالای این ادوات است.

زیرا ساختار ماسفت بگونه ای است که یون های ناخالصی درون کانال حضور دارنـد و پدیـده پراکندگی از اتمهای ناخالصی غالب خواهد بود.

پس لازم است که هم در مواد و هم در ساختار ماسفت هـا تغییراتـی بوجود آید.

پروپوزال، بهینه سازی، ترانزیستوربا تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN

با استفاده  از ترانزیستورهای ِ گالیوم نیتریدی(GaN) ، شاخصه های ذکر شده برای دستگاه های سوئیچینگ  می توانند تامین شوند.

ترانزیستورهای مبتنی بر GaN با تحرک الکترونی بالا(HEMT ها)  به عنوان گزینه های نوظهور و نویدبخش برای ابزار الکترونیکی  که نیازمند به دمای بالا، توان  زیاد و فرکانس رادیویی می باشند  تلقی می شوند.

  این امر به  دلیل ظرفیت های منحصر بفرد ِ آن ها در دستیابی به  تراکم بالاتر در جریان، ولتاژ جرقه زنی ِ بالاتر، دماهای عملکردی ِ بالاتر و  فرکانس های قطع بالاتر  در مقایسه  با سیلیکون(Si) می باشد.

HEMT های متداول و مبتنی بر GaN ، با یک  دیواره  از جنس آلومینیوم گالیوم نیترید  (AlGaN)، از نوع  کاهنده (e-mode) می باشند یا معمولا در حالت  فعال(On) قرار دارند که نیازمند به  یک  منبع  نیرو با قطبیت  منفی، جهت خاموش شدن یا غیرفعال شدن خواهند بود.

  از سوی دیگر، حالت فزاینده یا تشدید کننده(e-mode)  یا  HEMT های ِ AlGaN/GaN توجه زیادی را در سال  های اخیر به خود معطوف داشته اند زیرا  افت در سوئیچینگ، و همچنین فروپاشی جریان بر توان کلی  تاثیرگذار است.

از این رو در این تحقیق سعی در بهینه کردن ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی AlGaN/GaN در حالت e-mode  به منظور کاهش سوئیچینگ و جلوگیری از فروپاشی  جریان می باشد…….

ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی

ترانزیستورهای با تحرک بالای الکترونی

جهت مشاوره در انجام پروپوزال می توانید از طریق تلگرام یا تماس با ما در ارتباط باشید.

1 آخرین دیدگاه
  • safir
    اردیبهشت ۱۱, ۱۳۹۷ ۱:۰۰ ب.ظ

    ب

    پاسخ

ارسال نظر شما

دپارتمان مشاوره سفیر

دپارتمان مشاوره سفیر

از طریق راههای ارتباطی زیر می توانید با دپارتمان مشاوره سفیر در ارتباط باشید .

آدرس : تهران – میدان رسالت – میدان الغدیر – دانشگاه علم و صنعت ایران – دپارتمان مشاوره سفیر

09373905862


مشاوره آنلاین در تلگرام

http://instagram.com/safirdep

درباره ما

دپارتمان پژوهشی شریف

دپارتمان پژوهشی سفیر

دپارتمان مشاوره سفیر از سال 1393 در راستای گسترش فعالیت های خود به حوزه ارائه خدمات مشاوره ای در حوزه نیازمندی های تحصیلی دانشجویان مقطع کارشناسی ارشد و دکتری تمامی رشته های دانشگاهی و اخذ پذیرش مقالات دانشگاهی در مجلات تخصصی داخلی و خارجی اقدام به تأسیس واحد پژوهشیاری نموده است. مشارکت در انجام پژوهشهای سازمانی در نهادها و ارگان های گوناگون از دیگر خدمات جدید مرکز پروپوزال  می باشد.

 

<!– PersianStat –>
<script language=’javascript’ type=’text/javascript’ src=’http://www.persianstat.com/service/stat.js’></script>
<script language=’javascript’ type=’text/javascript’>
persianstat(10311844, 0);
</script>
<!– /PersianStat –>

شماره تماس : 09373905862 فرم درخواست مشاوره